تهیه آند Ti/SnO2-Sb/CGCN-PbO2 به منظور حذف الکتروشیمیایی سیپروفلوکساسین
کد مقاله : 1210-IACC7
نویسندگان
شیما شیخ محمدی1، فریده نبی زاده چیانه *2
1دانشگاه سمنان
2گروه شیمی ، دانشکده شیمی ، دانشگاه سمنان، سمنان، ایران
چکیده مقاله
به‌منظورحذف موثر بقایای آنتی بیوتیک سیپروفلوکساسین (CIP) موجود در محیط آبی، الکترودهای Ti/SnO2-Sb/PbO2 دوپ شده با CGCN با استفاده از روش ترسیب الکتریکی ساخته شدند. این مطالعه چگونگی تأثیر دوپه کردن CGCN بر خواص الکترودهای Ti/SnO2-Sb/PbO2 را مورد بررسی قرار می‌دهد. هنگامی که CGN به شکل کلوئیدی تحت اصلاح قرار گرفت، مورفولوژی مرجان مانند حاصل، باعث افزایش تخلخل در لایه‌های زدایش شده ساختار آن می‌گردد. بنابراین دوپه کردنCGCN در Ti/SnO2-Sb/PbO2 منجر به ایجاد سطحی زبرتر و متراکم تر، افزایش OEP و بهبود فعالیت الکتروکاتالیستی آن می شود. به عنوان یک آند برای اکسیداسیون الکتروشیمیایی CIP، الکترود Ti/SnO2-Sb/CGCN-PbO2 در عرض 360 دقیقه بهدرصد حذف 47.35% رسید که از نرخ تخریب 42.06% الکترود Ti/SnO2-Sb/PbO2 فراتر رفت. علاوه بر این، OEP الکترودهای Ti/SnO2-Sb/PbO2 به طور قابل توجهی با دوپه کردن توسط GCN گسترش یافت، همانطور که با آزمایش ولتامتریروبشی خطی (LSV) نشان داده شد، OEP الکترود Ti/SnO2-Sb/GCN-PbO2 به مقدار 0.39v بیشتر از الکترود Ti/SnO2-Sb/PbO2گشته است. این تحقیق یک روش جدید برای توسعه الکترودهای Ti/SnO2-Sb/PbO2 با CGCN دوپ شده ارائه می‌کند که فعالیت الکترواکسیایش و پایداری مناسب را برای حذف الکتروشیمیایی CIP نشان می‌دهد.
کلیدواژه ها
الکترود Ti/SnO2-Sb/CGCN-PbO2 ، اکسایش الکتروشیمیایی، حذف سیپروفلوکساسین، کربن نیترید گرافیتی ، ترسیب الکتریکی
وضعیت: چکیده برای ارائه به صورت پوستر پذیرفته شده است